硅通孔结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于四川
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硅通孔结构及其形成方法.pdf

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本发明提供了一种硅通孔结构及其形成方法，其中硅通孔结构包括：衬底，衬底具有相对设置的正面和背面；位于衬底内的有源区，有源区靠近正面设置；位于衬底内的硅通孔，硅通孔贯通正面和背面，同时，硅通孔还贯通有源区；位于硅通孔和有源区之间的金属硅化物。本发明硅通孔和有源区之间具有金属硅化物，因此，衬底上的其他器件可以通过硅通孔和有源区连通，同时，还可以减少用于衬底上的其他器件和有源区连通的连接件，从而减少了硅通孔所在的芯片的面积。更进一步的，硅通孔形成在金属硅化物形成的孔洞内，相对于现有技术通过刻蚀形成的孔

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903719 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202111143622.6 (22)申请日 2021.09.28 (71)申请人广州粤芯半导体技术有限公司