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本发明涉及一种DDR芯片的存储单元的测试方法、装置、设备及存储介质,涉及半导体测试领域。方法包括:写入数据到DDR芯片各存储单元中;选定一存储单元作为待测存储单元,记录待测存储单元周围的存储单元为第一数据;对待测存储单元进行逻辑运算,得到运算结果;记录待测存储单元周围的存储单元为第二数据;将逻辑运算结果与预设的期望值进行比对,得到第一比对结果;将第一、第二数据进行比对,得到第二比对结果;根据第一、第二比对结果确定待测存储单元的测试结果。本发明能通过对存储单元进行逻辑运算并校验来检测DDR芯片存储
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889176 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202111154715.9
(22)申请日 2021.09.29
(71)申请人 深圳市金泰克半导体有限公司
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