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一种铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法,上述方法包括如下步骤:S1:铜粉或铜粉混合物在化学气相沉积炉中初步升温至氧化温度后,对铜粉进行预氧化处理;S2:预氧化处理结束,化学气相沉积炉中继续升温至成长温度后,同时进行铜粉表面的还原和石墨烯的生长操作;S3:生长结束后,对生长产物进行降温处理。本发明铜粉表面生长石墨烯薄膜的方法,简化了铜粉表面石墨烯薄膜的成长工艺,提升了整体的工艺效率。并且,预氧化处理配合后期的还原及生长操作,减少了铜粉表面的成核点,使铜粉表面生长形成的石墨烯薄膜的晶粒尺寸较大,通常能达到
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113897590 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202010573258.6
(22)申请日 2020.06.22
(71)申请人 上海
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