无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.11万字
约 15页
2023-04-21 发布于北京
举报
版权申诉

无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法.pdf

1、本文档共15页，其中可免费阅读14页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法，属于射频器件领域。该形成于半导体器件的外延结构上的无金欧姆接触电极包括：接触层，堆叠于所述外延结构的顶表面；金属帽层，堆叠于所述接触层之上。其中，接触层包括合金结构、含硅结构或含低功函金属结构。该无金欧姆接触电极具有低的欧姆接触电阻，从而在基于其制作射频器件时，可以降低导通电阻，进而有助于获得输出功率的改善的效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889534 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202111136252.3 H01L 21/335 (2006.01) (22)申请日