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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法包括，主要先形成一磁性隧道结(magnetictunnelingjunction,MTJ)堆叠结构于一基底上，然后先进行一蚀刻制作工艺去除部分该MTJ堆叠结构以形成一MTJ，进行一沉积制作工艺以形成聚合物于MTJ侧壁，再去除聚合物以于MTJ侧壁形成粗糙表面。此外MTJ包含一固定层设于基底上、一阻障层设于固定层上以及一自由层设于阻障层上，其中粗糙表面可设于固定层、阻障层以及/或自由层侧壁。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903763 A
(43)申请公布日
2022.01.07
(21)申请号 20201
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