基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器及制备工艺.pdfVIP

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2023-04-21 发布于北京
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基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器及制备工艺.pdf

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一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器，压力薄膜设置在谐振器的谐振器固定点上，谐振器上带有HF释放孔，感应电极和驱动电极与谐振器连接，谐振器上带有谐振器弹簧，谐振器侧壁带有外表面层。一种基于MEMS系芯片上热补偿的谐振式压力传感器的制备工艺，所述的谐振器的外表面层侧壁，重掺杂和/或在侧壁上涂覆二氧化硅；气体掺杂，磷化氢、三氯氧磷、硼烷、掺杂的CVD氧化层、掺杂的poly和外延层，用来限制简并掺杂到谐振器及其弹簧的侧壁和外表面，氧化层能热生长或CVD/PECVD沉积。本发明的优点：利用谐

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113884223 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202111241799.X (22)申请日 2021.10.25 (71)申请人罕王微电子（辽宁）有限公司