减少多电平NAND单元的编程验证.pdfVIP

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2023-04-21 发布于北京
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减少多电平NAND单元的编程验证.pdf

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本公开涉及减少用于多电平NAND单元的编程验证。随时间推移，成功地编程多电平单元MLC所需的写入循环的数目减少。由于硬编码值在装置的使用寿命内不改变，因此所述装置可能在所述装置使用寿命的一个阶段执行过多的验证步骤，并且等待过长而无法在所述装置使用寿命的另一阶段开始验证，从而降低所述装置的性能。如本文中所论述，对较高电压电平编程的验证被延迟直到对较低电压电平编程的验证达到至少成功阈值电平为止，而不是使用硬编码数目的验证步骤来跳过。结果，可不出现与跳过硬编码数目的验证循环相关联的性能缺点。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903387 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202110640905.5 (22)申请日 2021.06.09 (30)优先权数据 16/907,59