用于模拟来自天线结构的近场效应的点源模型.pdfVIP

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2023-04-21 发布于北京
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用于模拟来自天线结构的近场效应的点源模型.pdf

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本文档描述了生成点源模型以用于模拟来自天线结构的近场效应的技术和系统。该技术和系统基于从电磁模拟中提取的近场值，生成天线阵列的有源元件以及在某些情况下无源元件的相应远场辐射图案。远场辐射图案考虑了有源元件和天线结构之间的电磁相互作用，天线结构可以包括天线阵列的无源元件。该技术和系统输出远场辐射图案，该远场辐射图案对于使用渐近数值方法模拟天线阵列和至少一个相互作用结构之间的电磁相互作用是有效的。使用所描述的点源模型，工程师能够针对天线阵列的各种配置和应用快速且准确地模拟天线阵列与相互作用结构之间的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113901634 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202110766504.4 (22)申请日 2021.07.07 (30)优先权数据 16/922,74