一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于北京
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一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种高亮度近红外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括自下到上依次设置有N型欧姆接触层、介质膜窗口层、制备好的外延片、P型欧姆接触层和P型电极，所述介质膜窗口层上设置有窗口层图案。在n型GaAs衬底和N型欧姆接触层之间设置介质膜形成的介质膜窗口层，介质膜窗口层中无介质膜处可以与n‑GaAs衬底实现良好的欧姆接触，有介质膜处可以阻挡金属与n‑GaAs衬底融合，减少光的吸收，介质膜和N型欧姆接触层可以进一步形成ODR提升反射率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889559 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202010627584.0 (22)申请日 2020.07.02 (71)申请人山东浪潮华光光电子股份有限公司