一种生长铋碲基合金外延薄膜的设备及方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.36万字
约 9页
2023-04-21 发布于四川
举报
版权申诉

一种生长铋碲基合金外延薄膜的设备及方法.pdf

1、本文档共9页，其中可免费阅读8页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种生长铋碲基合金外延薄膜的设备及方法，属于温差电领域。实验装置主要包含加热装置、密封装置和提拉旋转装置。加热装置能实现精确智能控制升温与降温；密封装置起到保护成膜环境密封性的作用；提拉旋转装置为样品台和衬底提供旋转和提拉的动力。成膜工艺参数主要包含衬底选择、根据相图选定母液成分并确定母液熔点和结晶点、寻找适当转速，冷却速度和提拉速度等。高性能的(Bi1‑xSbx)2(Te1‑ySey)3单晶薄膜可以组装器件用于制冷和发电。液相外延方法具备生长设备简单；有较高的生长速率；掺杂剂选择范围广；晶体完

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113897667 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202111144596.9 (22)申请日 2021.09.28 (71)申请人北京科技大学地址