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本发明公开了一种半导体功率器件结构及其制造方法，包括衬底、外延层及若干沟槽，在沟槽内，栅极多晶硅的上端还设置有绝缘层；沟槽的外壁处设置有第二导电类型的体区，体区的表面设置有第一导电类型的源极区，以及第二导电类型的体接触区；在外延层的表面还覆盖有一阻挡层，在阻挡层的表面设置有金属层，相邻两个沟槽的体区之间形成寄生肖特基区域。本发明的寄生肖特基在每个器件元胞单元内，不需要额外增加器件的面积，能够使得VFSD更低，改善反向恢复的Trr，在电压反偏时，体区与外延层横向耗尽，形成空间电荷会将寄生肖特基表面
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113921614 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202111513373.5 H01L 21/265 (2006.01)
(22)申请日
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