一种垂直结构的深紫外LED外延片及其生长方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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一种垂直结构的深紫外LED外延片及其生长方法.pdf

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本发明涉及一种垂直结构的深紫外LED外延片及其生长方法，所述外延片包括衬底（1），衬底（1）上设有缓冲层（2），缓冲层（2）上设有非掺杂u‑GaN激光剥离层（3），非掺杂u‑GaN激光剥离层（3）上设有AlxGa1‑xN接触层（4），其中x介于1%‑20%之间，AlxGa1‑xN接触层（4）上设有p‑AlyGa1‑yN析出层（5），其中y由20%至60%渐变，p‑AlyGa1‑yN析出层（5）上设有p‑AlzGa1‑zN势垒层（6），其中z介于40%‑80%之间，p‑AlzGa1‑zN势垒层（6

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113921665 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202111518650.1 C23C 16/52 (2006.01) (22