单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列.pdf

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本申请提供一种单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列，通过在提供的衬底一侧依次生长多层外延层，包括缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、倍增层、反型层、迁移层、窗口层和欧姆接触层，并通过扩散工艺在欧姆接触层和窗口层内形成弧形扩散区，对衬底上的部分外延层的边缘进行刻蚀以形成台面结构，在衬底背面形成光窗口，并在欧姆接触层上形成P型电极、在衬底背面形成N型电极。本方案中，仅需通过一次扩散处理并结合反型层，即可有效降低扩散区域边缘电场，进而有效抑制边缘击穿问题，且相比现有的需要二次扩散处理或二次生长的方式

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113921646 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202111159738.9 (22)申请日 2021.09.30 (71)申请人厦门