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2023-04-22 发布于北京
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半导体器件.pdf

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一种半导体器件包括：第一和第二有源图案，在第一方向上延伸；第一外延图案，在第一有源图案上并邻近第二有源图案；第二外延图案，在第二有源图案上并邻近第一有源图案；元件分隔结构，在第一和第二外延图案之间分隔第一和第二有源图案，并包括芯分隔图案和在芯分隔图案的侧壁上的分隔侧壁图案；以及栅极结构，在第一有源图案上在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极结构的上表面在与芯分隔图案的上表面相同的平面上。分隔侧壁图案包括高介电常数衬垫，该高介电常数衬垫包括包含金属的高介电常数电介质膜。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937102 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202110766070.8 (22)申请日 2021.07.07 (30)优先权数据 10-2020-0