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本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法,以Si/SiO2为衬底,三氧化钨粉末为钨源,硫粉为硫源;双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区,硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中,装有硫粉的石英舟位于硫源温区,装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区,三氧化钨粉末平铺在石英舟内,衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方;先对石英管抽真空,再向石英管中通入惰性气体,对硫源温区和沉积温区升温,硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应,在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113913940 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202111226096.X
(22)申请日 2021.10.21
(71)申请人 杭州电子科技大学
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