一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法.pdf

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本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方；先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113913940 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202111226096.X (22)申请日 2021.10.21 (71)申请人杭州电子科技大学地址