一种AlGaInN发光二极管的接触结构.pdfVIP

下载本文档

1
0
约7.96千字
约 10页
2023-04-22 发布于北京
举报
版权申诉

一种AlGaInN发光二极管的接触结构.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括AlGaInN接触层，第一接触层和第二接触层；第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层接触；第一接触层位于AlGaInN接触层和第二接触层之间；第一接触层至少与AlGaInN接触层和第二接触层的一个是肖特基接触或者绝缘。本发明通过改变第一接触层面积，调节AlGaInN接触层与第二接触层的在各处的接触面积和电阻，在保证电流在第二接触层上传输的前提下，分配AlGaInN接触层和器件各处所获得的电流比例。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113921677 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202111158607.9 (22)申请日 2021.09.30 (71)申请人南昌大学地址 33