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本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、LED芯片,通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底,且在所述凸起的表面设有反射层;有利于增大衬底的反射出光率,从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地,所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层,且反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5%‑95%,包括端点值;在提高衬底的反射出光率的同时,可实现非故意掺杂层、反射层、图形化衬底三者之间的有效连接,保证其结构稳定性,从而降低衬底与外延结构之间的晶格失配,避免图形斜面对外延生长的不利影
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113921671 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202111311758.3
(22)申请日 2021.11.08
(71)申请人 厦门乾照光电股份有限公司
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