浅沟槽隔离结构的制造方法及半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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浅沟槽隔离结构的制造方法及半导体器件的制造方法.pdf

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本发明涉及一种浅沟槽隔离结构的制造方法及半导体器件的制造方法，所述浅沟槽隔离结构的制造方法包括：在高密度等离子体化学气相沉积硅氧化物填充浅沟槽隔离结构之前，于衬底需要形成浅沟槽隔离结构的位置掺杂P型离子；HDPCVD硅氧化物填充浅沟槽隔离结构，衬底偏压功率为1500W，氧气的流通速率为100‑300sccm。本发明在HDPCVD硅氧化物填充STI结构之前，通过P型掺杂增加了衬底在与STI交界处的空穴浓度，这些空穴能够与辐照等特殊环境下感应出的负电荷复合，阻断漏电通道，提升芯片电路的良率与可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937053 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202010601275.6 (22)申请日 2020.06.29 (71)申请人无锡华润微电子有限公司