基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法。先将基板浸入H2SO4:H2O2为3:1(v:v)的溶液中，从而使基板表面获得羟基，增加亲水性。接着利用含有阵列的PDMS模板将溶于己烷的十八烷基三氯硅烷(OTS)转移至基板上，形成具有亲疏水性图形化的基板，最后利用LB技术将量子点在基板上自组装形成高PPI量子点阵列。该方法具有方法简单，扩展性强，可在同层制备不同材料的优势。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937243 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202110984776.1 (22)申请日 2021.08.26 (71)申请人福州大学地址 35