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本发明涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种基于套刻技术的顶栅结构全固态记忆晶体管多变量掩膜版；所述一种掩膜版，包括3块子掩膜版，具体为沟道掩膜版、源漏电极掩膜版以及栅极掩膜版；其中，沟道掩膜版包括8种不同的器件尺寸，每种器件尺寸对应2种沟道区域和源漏电极区域接触方式，构成16种可形成对比的器件。本发明掩膜版采用设备简单、易于控制、成膜效果好的磁控溅射法制备所需薄膜，制膜工艺兼容CMOS工艺，利于器件批量生产。本发明各部分材料为全固态材料，可优化有机材料和液态材料固有的降解和难封装问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113917784 A
(43)申请公布日 2022.01.11
(21)申请号 202111181021.4 G03F 1/42 (2012.01)
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