一种太赫兹双通道调制器及制备方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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一种太赫兹双通道调制器及制备方法.pdf

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本发明公开了一种太赫兹双通道调制器及制备方法，外延层生长在衬底上，调制阵列设置在所述外延层上；调制阵列由M*N个阵元结构组成，且每行阵元结构的第一栅极馈线与第一肖特基电极连接，每行阵元结构的第二栅极馈线与第二肖特基电极连接，M2，N2；每行阵元结构的第一源漏馈线与第二源漏馈线均与所述欧姆电极连接；调制阵列用于通过不同频率的太赫兹波；第一肖特基电极与第二肖特基电极分别与欧姆电极通过直流电源串联；本发明的有益效果为改变超材料结构的谐振模式，进而实现对多个频段的太赫兹波的调控；实现多个频点的独立调

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113917713 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202111254811.0 (22)申请日 2021.10.27 (71)申请人重庆邮电大学地址