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2023-04-22 发布于四川
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一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元.pdf

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本发明公开了一种具有掉电存储功能的SRAM存储单元，包括读字线RWL、写字线WWL、写位线WBL、反相写位线WBLB、读位线RBL、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第一忆阻器和第二忆阻器，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管和第八MOS管组成了读写分离的SRAM结构；第九MOS管、第十MOS管、第一忆阻器和第二忆阻器组成了分压式忆

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113936716 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111210861.9 (22)申请日 2021.10.18 (71)申请人宁波大学科学技术学院