一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约6.97千字
约 7页
2023-04-22 发布于四川
举报
版权申诉

一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法.pdf

1、本文档共7页，其中可免费阅读6页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，涉及微波电真空器件制造技术。在具有铼包覆钨结构的微米级颗粒粉体的基础上添加纳米级锇粉，三元混合粉体经过烧结后，会形成铼锇合金包覆钨颗粒的特殊结构粉体。在阴极基体烧结和阴极浸渍过程中内部钨会向外部扩散，在阴极表面形成稳定的钨铼锇三元合金膜层，由于铼和锇的存在能够提高阴极的电子发射密度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113936981 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111167986.8 (22)申请日 2021.09.29 (71)申请人北京工业大学地址