外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明提供一种外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法。本发明的方法中，沿多条扫描线对研磨抛光之后的衬底的改质区域进行激光扫描，在衬底内部形成多个改质点，该改质点可以是多晶和/或空洞。衬底的改质区域为距离衬底中心一定距离的外围区域，并且上述各条扫描线均是间断的，从而在衬底内部形成连续或者间断分布的改质点。上述改质点形成在衬底厚度的2％～98％的厚度范围内。通过形成上述改质点，调整衬底内部的应力状况，从而均匀整个衬底的应力分布，使得衬底面型收敛为同心圆型，该衬底有利于降低外延层波长的离散性

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937193 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202010601306.8 (22)申请日 2020.06.29 (71)申请人福建晶安光电有限公司