1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

硅基板上解键合SiC片方法.pdfVIP

硅基板上解键合SiC片方法.pdf

    1. 1、本文档共9页，其中可免费阅读8页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
    2. 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
    3. 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    4. 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    5. 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
    6. 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
    7. 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
    8. 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
    查看更多
    本发明提出了一种硅基板上解键合SiC片方法。包括：S100：将键合有多片SiC片的硅基板翻转，使SiC片朝向石墨托盘并嵌入石墨托盘；S200：向硅基板喷洒蚀刻液，使多片SiC片与硅基板解键合；S300：移除解键合后的硅基板，并使多片SiC留置于石墨托盘。根据本发明提出的的硅基板上解键合SiC片方法，通过将SiC片对准并嵌入石墨盘，利用石墨盘耐高温的性质，便于后续对SiC片进行高温退火等工艺，另外，通过蚀刻液以化学蚀刻的方式进行解键合，避免了对SiC片的表面损伤，有助于提高SiC器件的良品率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948459 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111119932.4 (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人 浙江同芯祺科技有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    知识产权出版社 + 关注
    官方认证
    服务提供商

    提供农业、铸造、给排水、测量、发电等专利信息的免费检索和下载；后续我们还将提供提供专利申请、专利复审、专利交易、专利年费缴纳、专利权恢复等更多专利服务。并持续更新必威体育精装版专利内容，完善相关专利服务，助您在专利查询、专利应用、专利学习查找、专利申请等方面用得开心、用得满意！

    咨询作者（73人已咨询） 已休息
    认证主体北京中献电子技术开发有限公司
    IP属地四川
    统一社会信用代码/组织机构代码
    91110108102011667U

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >