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本发明提供了一种P型硅片的背面掺杂工艺及应用，涉及光伏发电产品制备技术领域。该工艺包括步骤：将P型硅片的正面面朝面靠在一起，在压力为50mTorr‑300mTorr的条件下对所述P型硅片的背面进行硼扩散；对所述硼扩散后的所述背面进行第一激光掺杂，再进行第一清洗。在硅片背面进行低压扩硼，可以降低扩散方阻，进一步利用激光掺杂形成局部硼重掺杂P++区，可实现电池片的转换效率提升0.05％，突破了现有硅片掺杂技术很难进一步提高转换效率的技术瓶颈。本方案掺杂所得硅片能与铝背场在背面形成金属接触，降低串联电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113937186 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202111131526.X
(22)申请日 2021.09.26
(71)申请人 东莞
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