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本发明实施例提供一种半导体结构制作方法,包括:提供一衬底;在所述衬底上方形成一阻拦层;在所述阻拦层上方形成一牺牲层;利用光刻工艺在所述牺牲层上方形成一开口图案;以所述阻拦层为刻蚀停止层,根据所述开口图案刻蚀所述牺牲层,形成第一沟槽;在所述第一沟槽中填充介质层材料;以所述阻拦层为刻蚀停止层,刻蚀所述牺牲层,形成第二沟槽;在所述第二沟槽中填充硬掩膜层材料;以所述阻拦层为刻蚀停止层,刻蚀所述介质层材料,形成硬掩膜层。本发明有利于减少半导体结构的刻蚀缺陷。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113937062 A
(43)申请公布日 2022.01.14
(21)申请号 202010672968.4
(22)申请日 2020.07.14
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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