半导体结构制作方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.45万字
约 16页
2023-04-22 发布于四川
举报
版权申诉

半导体结构制作方法.pdf

1、本文档共16页，其中可免费阅读15页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明实施例提供一种半导体结构制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上方形成一阻拦层；在所述阻拦层上方形成一牺牲层；利用光刻工艺在所述牺牲层上方形成一开口图案；以所述阻拦层为刻蚀停止层，根据所述开口图案刻蚀所述牺牲层，形成第一沟槽；在所述第一沟槽中填充介质层材料；以所述阻拦层为刻蚀停止层，刻蚀所述牺牲层，形成第二沟槽；在所述第二沟槽中填充硬掩膜层材料；以所述阻拦层为刻蚀停止层，刻蚀所述介质层材料，形成硬掩膜层。本发明有利于减少半导体结构的刻蚀缺陷。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937062 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202010672968.4 (22)申请日 2020.07.14 (71)申请人长鑫存储技术有限公司