一种改善双大马士革刻蚀工艺中光刻胶厚度不足的方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约6.6千字
约 7页
2023-04-22 发布于四川
举报
版权申诉

一种改善双大马士革刻蚀工艺中光刻胶厚度不足的方法.pdf

1、本文档共7页，其中可免费阅读6页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种改善双大马士革刻蚀工艺中光刻胶厚度不足的方法，提供半导体结构，半导体结构上设有金属硬掩膜层，在金属硬掩膜层上方形成光刻胶层；通入含有氢气和氩气的混合气体对光刻胶层进行气体处理；之后显影形成光刻胶图形；利用光刻胶图形对金属硬掩膜层及位于金属硬掩膜层下的半导体结构进行刻蚀，形成凹槽；刻蚀后的金属硬掩膜层没有被消耗。本发明双大马士革刻蚀工艺中，在刻蚀前，采用通入氩气和氢气的混合气体对光刻胶层进行处理，利用氩气和氢气产生碳分子聚合效应的特性，产生短中碳链的聚合物，使得处理后的所述光刻胶层厚

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113936996 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111049386.1 (22)申请日 2021.09.08 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司