全介质缺陷圆柱高品质因数折射率传感器及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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全介质缺陷圆柱高品质因数折射率传感器及其制作方法.pdf

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本发明涉及光学器件技术领域，具体涉及一种全介质缺陷圆柱高品质因数折射率传感器及其制作方法。包括二氧化硅衬底和阵列分布于二氧化硅衬底上表面的全介质超表面结构单元，所述全介质超表面结构单元为弧面朝上的半圆柱结构体，所述半圆柱结构体的轴线与x轴平行；其中，x轴沿二氧化硅衬底宽度方向，y轴沿二氧化硅衬底长度方向，z轴沿二氧化硅衬底厚度方向。极大的提高了全介质传感器的品质因数，进一步提高了全介质超表面传感器的分辨率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113916832 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202111368027.2 (22)申请日 2021.11.18 (71)申请人巴沃（镇江）光电子科技有限公司