半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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半导体结构及其制备方法.pdf

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本公开涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构及其制备方法；该半导体结构包括基底层、器件层以及应力传播层；器件层位于基底层上方，器件层包括第一介质层和器件结构，第一介质层填充器件层且隔离器件结构；应力传播层位于器件层上方，应力传播层包括第二介质层和间隔设置的多个应力传播图案，第二介质层填充应力传播层且隔离应力传播图案。多个应力传播图案能够阻止切割区域延伸至芯片区，从而降低切割难度，提高芯片的合格率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937065 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111186670.3 (22)申请日 2021.10.12 (71)申请人长鑫