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2023-04-22 发布于四川
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电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、表面状态补偿层以及低k介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。表面状态补偿层直接安置在第二氮化物半导体层上，并与表面状态补偿层接触。低k介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中低k介电层的厚度大于表面状态补偿层的厚度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937071 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111372675.5 H01L 21/56 (2006.01)