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本发明公开了一种具有低损耗性能的超结IGBT器件，所述器件包括：集电极、P集电极区、N‑buffer区、N‑pillar区、P‑pillar区、栅氧化层、N‑base区、P注入区、第一栅极、第二栅极、N+注入区、源极金属、P+注入区和P‑base区。本发明通过在器件的第二栅极的氧化层中注入带负电离子，能够与P‑pillar区、N‑base区、P注入区形成一个耗尽型的P沟道MOS管，这个MOS管能够作为器件存储空穴的开关，当IGBT导通时，MOS管关闭然后存储空穴，从而提高电导调制效果，降低器件导
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113964180 A
(43)申请公布日 2022.01.21
(21)申请号 202111034312.0 H01L 29/739 (2006.01)
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