一种基于原位氧化的二维忆阻器及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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一种基于原位氧化的二维忆阻器及其制备方法.pdf

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本发明公开一种基于原位氧化的二维忆阻器及其制备方法。该基于原位氧化的二维忆阻器，包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；功能层，其为二维半导体材料经原位氧化处理后形成的氧空位绝缘层与半导体层混合的结构，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述功能层上，且延伸方向与所述底电极的延伸方向正交。利用原位氧化的方式对二维材料进行处理，将部分半导体相的二维材料氧化为绝缘体，借助氧空位缺陷的引入对导电通道进行优化，使得二维功能层的漏电流降低，存储器件的开关比提高，获得了高性能的纳米级二维忆阻器。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964268 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111156448.9 (22)申请日 2021.09.30 (71)申请人复旦大学地址 2