一种性能可调的太赫兹波发射器.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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一种性能可调的太赫兹波发射器.pdf

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本发明提供了一种性能可调的太赫兹波发射器，包括：衬底；在第一方向上，设置在所述衬底一侧的金属种子层、反铁磁金属层、第一铁磁金属层、第一非铁磁金属层、介质层、第二铁磁金属层、第二非铁磁金属层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述第二非铁磁金属层；其中，所述介质层的厚度范围为0mm‑1mm；所述太赫兹波发射器施加有磁场方向可调的外加磁场。该太赫兹波发射器通过调控介质层的厚度来调控两层铁磁金属层与非铁磁金属层之间所产生的两个太赫兹波的相位，同时，调整外加磁场的磁场方向来调控第二铁磁金属层和

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964627 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111214485.0 (22)申请日 2021.10.19 (71)申请人中国科学技术大学地