一种基于包裹埋层和扩散阻挡层的Si基AlGaN/GaN HEMT及制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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一种基于包裹埋层和扩散阻挡层的Si基AlGaN/GaN HEMT及制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于包裹埋层和扩散阻挡层的Si基AlGaN/GaNHEMT及制备方法，Si基AlGaN/GaNHEMT，包括依次层叠的Si衬底、扩散阻挡层、AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，Si衬底中设置有N型埋层和隔离层，隔离层设置在Si衬底和N型埋层之间且包裹N型埋层。该AlGaN/GaNHEMT在Si衬底中设置N型埋层和隔离层，隔离层不会将N型埋层中的N型杂质完全掩蔽，N型杂质可以扩散进入Si衬底，从而抵消上层结构中Al扩散引入Si衬底的P型沟道浓度

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964179 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111006471.X (22)申请日 2021.08.30 (71)申请人西安电子科技大学地址