一种肖特基超结半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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一种肖特基超结半导体器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种肖特基超结半导体器件及其制造方法，该器件包括第一导电类型衬底和与之邻接的第一导电类型外延层或包含在第一导电类型衬底内的第一导电类型外延层，第一导电类型衬底底部的表面形成有阳极金属层，第一导电类型外延层的顶部形成有第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区的顶部形成间隔设置的介电层，介电层封装有栅极金属，介电层之间及顶部形成有阴极金属层，第一导电类型漂移区形成有金属沟槽，金属沟槽的顶面与阴极金属层接触，第一导电类型漂移区上形成有第二导电类型阱区，第二导电类型阱区上形成第二导电类型高掺杂

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964186 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111202899.1 (22)申请日 2021.10.15 (71)申请人芯立嘉集成电路（杭州）有限公司