约瑟夫森结的制备方法及半导体工艺集成系统.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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约瑟夫森结的制备方法及半导体工艺集成系统.pdf

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本发明提供了一种约瑟夫森结的制备方法及半导体工艺集成系统，盖方法在制备第一超导金属层后在真空环境下对第一超导金属层表面的自然氧化层进行活性氢还原表面处理，减少或去除第一超导金属层表面的自然氧化层；并且在真空条件下在第一超导金属层表面制备绝缘介质层，由于从活性氢还原表面处理开始的所有操作均在真空条件下进行，因而在减少或去除在第一超导金属层的表面形成的自然氧化层后能够防止第一超导金属层的表面进一步生成新的自然氧化层，从而达到了真正地减少甚至去除第一超导金属层的表面形成的自然氧化层的效果。使得约瑟夫森

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964265 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111158194.4 (22)申请日 2021.09.30 (71)申请人复