一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约9.07千字
约 10页
2023-04-23 发布于北京
举报
版权申诉

一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器及其制备方法.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种可编程垂直肖特基结的两端铁电存储器及其制备方法，其特点是在铁电层上下制备不同功函数的电极，然后用氩气或者氧气刻蚀掉多余的铁电薄膜，并最后在上下电极之间制作半导体沟道，所述电极为金、银、铜、铝、铟锡氧化物等一组功函数相差较大导体；所述铁电层为有机铁电和陶瓷铁电等；所述半导体为N型或者P型半导体。本发明与现有技术相比具有良好的整流和阻变特性，具有耐疲劳、保持性好、高密度等优点，制备方法和操作步骤简单，成本低，易于实施，且安全、环保，较好解决了铁电隧道结较差的疲劳性、铁电随机存储器的破

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964134 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111090073.0 (22)申请日 2021.09.17 (71)申请人华东师范大学地址