一种制造半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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一种制造半导体器件的方法.pdf

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本公开提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：先提供半导体基底，再在半导体基底上形成待处理层；本公开在待处理层上形成光刻胶叠层，并通过双大马士革镶嵌工艺形成光刻胶图形；最后再将光刻胶图形上的图案转移到待处理层上。本公开一些实施例能够通过PPE(光刻‑光刻‑刻蚀)工序替代传统的PEPE(光刻‑刻蚀‑光刻‑刻蚀)工艺，简化了工艺步骤，非常适于加工出双大马士革镶嵌等半导体结构，有效降低了工艺成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964044 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202010702165.9 (22)申请日 2020.07.21 (71)申请人中国科学院微电子研究所