层间介电层的形成方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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层间介电层的形成方法.pdf

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本申请公开了一种层间介电层的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件和高深宽比沟槽，高深宽比沟槽是高度和深度的比值大于2的沟槽；采用HDPCVD工艺沉积低k介质形成第一介电层，第一介电层覆盖衬底、半导体器件和高深宽比沟槽的表面；采用SACVD工艺在第一介电层上沉积低k介质形成第二介电层，第一介电层和第二介电层形成层间介电层。本申请通过在半导体器件的后道工艺中，依次采用HDPCVD工艺和SACVD工艺形成层间介电层，使得形成的层间介电层的形貌易于后续的填充，提高了器件的可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023629 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111231177.9 (22)申请日 2021.10.22 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司