存储器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种存储器件及其形成方法，所述形成方法在半导体衬底上形成硬掩膜层后，采用自对准多重图形工艺在所述半导体衬底上形成沿第三方向延伸的若干条平行的掩膜图形，所述相邻掩膜图形之间具有开口，所述开口暴露第三方向上若干漏区和相应的隔离层的表面，采用通过自对准多重图形工艺形成掩膜图形时，使得相邻掩膜图形之间的开口的宽度或特征尺寸可以较小并且表面粗糙度较小，后续沿开口刻蚀所述漏区形成沟槽时，相应的沟槽的宽度或特征尺寸也会较小并且表面粗糙度较小，因而使得在沟槽中形成的位线接触结构的宽度或特征尺寸也会较小并且表面粗

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005791 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202010737259.X (22)申请日 2020.07.28 (71)申请人长鑫存储技术有限公司