存储器单元及形成包含具有不同总电阻的电流泄漏路径的电容器的方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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存储器单元及形成包含具有不同总电阻的电流泄漏路径的电容器的方法.pdf

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一种存储器单元包括电容器，其包括：第一电容器电极，其具有横向间隔壁；第二电容器电极，其包括在所述第一电容器电极上方的一部分；及电容器绝缘体材料，其介于所述第二电容器电极与所述第一电容器电极之间。所述电容器包括从所述第一及第二电容器电极中的一者通过所述电容器绝缘体材料到另一者的固有电流泄漏路径。平行电流泄漏路径介于所述第二电容器电极与所述第一电容器电极之间。所述平行电流泄漏路径电路平行于所述固有电流泄漏路径，具有低于所述固有电流泄漏路径的总电阻，且包括在所述第一电容器电极的所述横向间隔壁的横向最内

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114026690 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202080046660.7 (74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限