FDSOI的硅外延方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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FDSOI的硅外延方法.pdf

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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种FDSOI的硅外延方法。包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构中形成沟槽；在半导体结构的表面上依次形成第一刻蚀阻挡层和刻蚀反应层；对刻蚀反应层进行刻蚀操作，刻蚀操作的刻蚀停止面位于覆盖在沟槽底面上的第一刻蚀阻挡层中，和覆盖在沟槽侧面的刻蚀反应层中；使得剩余在沟槽各个侧面上的刻蚀反应层分别形成侧墙结构；使得在沟槽位置处，位于侧墙结构之间的空间填充有第二刻蚀阻挡层；对侧墙结构，和位于侧墙结构下的第一刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成凹槽结构；去除第二刻蚀阻挡

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023689 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111238450.0 (22)申请日 2021.10.25 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司