NORD flash器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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NORD flash器件及其制造方法.pdf

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本申请公开了一种NORDflash制造方法，包括：在半导体衬底上形成存储单元区域和逻辑区域，存储单元区域中的字线和控制栅多晶硅层之间形成有侧墙，逻辑区域形成有栅极多晶硅层，依次沉积第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；对逻辑区域进行干法刻蚀，逻辑区域和存储单元区域均保留第一刻蚀阻挡层；去除第一刻蚀阻挡层；保护逻辑区域的栅极，对存储单元区域进行干法刻蚀形成存储器件的浮栅和控制栅。在NORDflash制造过程中，分两步进行刻蚀去除硬掩模层，能够保证侧墙不被侧蚀以及字线不会出现凹坑，从而保证器件性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023746 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111247947.9 (22)申请日 2021.10.26 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司