一种硅晶体原生缺陷的检测方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种硅晶体原生缺陷的检测方法.pdf

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本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的外延缺陷；对所述外延层的表面进行光散射扫描，获取窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果；基于所述窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定外延缺陷类型；基于所述外延缺陷类型确定所述原生缺陷的类型。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行进行光散射扫描，基于获取的窄通道缺陷结果以及

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114018930 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111249604.6 H01L 21/66 (2006.01) (22)申请日 2