一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法.pdf

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本发明公开了一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法，属于半导体外延材料技术领域。本方法对单晶衬底采用表面氮化处理形成一薄层非晶氮化层，为后续六方氮化硼材料生长提供高密度的成核格点，采用源的分时输运工艺在非晶氮化层表面生长六方氮化硼材料，同时引入表面活性剂，改善材料表面形貌；材料生长结束后采用离位退火技术，对六方氮化硼材料进行重结晶。本方法能够实现表面平整、晶体质量较高的六方氮化硼材料，促进氮化硼基深紫外光电器件、范德华异质结等新型器件性能的提升。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005730 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111164189.4 C30B 33/02 (2006.01) (22)申请日 2