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本公开提供一种半导体器件的套刻标记及其使用方法。其中所述套刻标记包括相对于中心呈十字对称的第一对组件和第二对组件,所述套刻标记还包括至少一对第三对组件,所述第三对组件的两个组件相对于所述中心对称分布。所述套刻标记的使用方法,包括:使用传感器检测所述套刻标记中每个组件的偏差角度和大小;根据所述偏差角度和大小计算确认所述套刻标记的整体偏差角度和大小。本公开能够减少套刻标记分析的次数,可以在早期防止品质不良发生。本公开对于套刻误差数值,禁止过补正与误补正,能够一次确认套刻标记变形的方式。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114005810 A
(43)申请公布日 2022.02.01
(21)申请号 202010739629.3
(22)申请日 2020.07.28
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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