用于生产多晶硅的方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.68万字
约 12页
2023-04-24 发布于北京
举报
版权申诉

用于生产多晶硅的方法.pdf

1、本文档共12页，其中可免费阅读11页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供了一种用于生产多晶硅的方法，包括：将含有氢气和硅烷和/或卤代硅烷的反应气体通入气相沉积反应器的反应空间中，其中该反应空间包括至少一根细丝棒，借助于电流通过对该细丝棒进行加热，并将硅沉积在该细丝棒上，以形成多晶硅棒。在此为了确定硅棒的形态，首先根据式(I)确定硅棒的第一电阻值R1，其中U＝硅棒两端之间的电压，I＝电流强度，并且根据式(II)确定硅棒的第二电阻值R2，其中ρ＝硅的电阻率，L＝硅棒的长度，A＝硅棒的横截面积，并且根据比值R1/R2计算出形态系数M，其中以M具有0.8至2.5的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114026044 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 201980096495.3 (51)Int.Cl.