一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件.pdf

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一种带有电性/化学性活跃金属层的真空封装器件，传感器芯片由MEMS晶圆与CMOS晶圆键合组成；两层吸气金属，使得键合后腔体成为真空，CMOS晶圆是由硅基底芯片和CMOS芯片中的N井在P型衬底上通过离子注入形成，有源区为CMOS器件的主要部分；CMOS晶圆内纵向布置有硅基底背部穿孔后金属填充部分，硅基底背部穿孔后金属填充部分的底部设置有与孔连接的晶粒和传感或致动部件，钝化层和金属层依次设置在CMOS晶圆上方，金属键合点设置在金属层和MEMS晶圆之间，MEMS晶圆内设置有MEMS晶圆腔体。本发明的优

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113998661 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111470138.4 (22)申请日 2021.12.03 (71)申请人罕王微电子（辽宁）有限公司