块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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块状GaN晶体、c面GaN晶片及块状GaN晶体的制造方法.pdf

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本发明提供c面的弯曲程度降低的块状GaN晶体。该块状GaN晶体具有选自相对于(0001)晶面倾斜0度以上且10度以下的面、及相对于(000‑1)晶面倾斜0度以上且10度以下的面中的主面，该主面是满足下述条件(i)及(ii)的特定主面A：(i)能够在该特定主面A上画出沿着第一方向延伸的长度80mm的假想线段、即第一线，且在该第一线上以5mm的间距并列的17个测定点间，使ω轴与该第一方向垂直而测定的该GaN晶体的(002)XRD摇摆曲线的峰值角度的最大值与最小值之差为0.05度以下；(ii)能够在该

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114026274 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202080047247.2 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所